IAUCN04S7N024HATMA1 vs IAUC60N04S6L030HATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IAUCN04S7N024HATMA1 bằng Infineon và IAUC60N04S6L030HATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IAUCN04S7N024HATMA1 - 40V Dual N-Ch OptiMOS-7 2.46mΩ | Infineon
IAUCN04S7N024HATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IAUCN04S7N024HATMA1 | IAUC60N04S6L030HATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS-7 40 V | — |
| Configuration | Dual N-Channel (independent) | Half-Bridge (2 N-Channel) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tj) | 100 A | — |
| On-Resistance R_DS(on) typ | 2.46 mΩ at V_GS = 10 V | — |
| On-Resistance R_DS(on) max | [DATA_NEEDED: max R_DS(on) at 10 V V_GS] | — |
| Maximum Power Dissipation (Tc) | 75 W | — |
| Hộp | PG-TDSON-8-56 (SSO8 HB 5x6 mm) | PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 (per part number suffix) |
| Technology | OptiMOS-7 trench-gate | — |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) | [DATA_NEEDED: typical V_GS(th)] | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: total Qg] | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Cấp MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Packing | Tape & Reel | — |
| Part Series | — | OptiMOS 6 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TJ | — | 60 A |
| On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V | — | 3.0 mOhm (typical) |
| Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V | — | 35 nC |
| Output Capacitance (Coss) | — | 2.128 nF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 596 pF |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2 V |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC | — | 75 W |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | -55 C to +175 C |