IAUCN04S7N024HATMA1 vs IAUC60N04S6L030HATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUCN04S7N024HATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUC60N04S6L030HATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IAUCN04S7N024HATMA1 | IAUC60N04S6L030HATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS-7 40 V | — |
| Configuration | Dual N-Channel (independent) | Half-Bridge (2 N-Channel) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tj) | 100 A | — |
| On-Resistance R_DS(on) typ | 2.46 mΩ at V_GS = 10 V | — |
| On-Resistance R_DS(on) max | [DATA_NEEDED: max R_DS(on) at 10 V V_GS] | — |
| Maximum Power Dissipation (Tc) | 75 W | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8-56 (SSO8 HB 5x6 mm) | PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 (per part number suffix) |
| Technology | OptiMOS-7 trench-gate | — |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) | [DATA_NEEDED: typical V_GS(th)] | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: total Qg] | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Packing | Tape & Reel | — |
| Part Series | — | OptiMOS 6 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TJ | — | 60 A |
| On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V | — | 3.0 mOhm (typical) |
| Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V | — | 35 nC |
| Output Capacitance (Coss) | — | 2.128 nF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 596 pF |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2 V |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC | — | 75 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55 C to +175 C |