IAUCN08S7L033ATMA1 vs IAUC100N10S5L054ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IAUCN08S7L033ATMA1 bằng Infineon và IAUC100N10S5L054ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon
IAUCN08S7L033ATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
IAUC100N10S5L054ATMA1 - 100V 5.4mΩ N-Ch MOSFET | Infineon
IAUC100N10S5L054ATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IAUCN08S7L033ATMA1 | IAUC100N10S5L054ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | Automotive OptiMOS 7 | OptiMOS 5 (IAUC automotive family) |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 3.3 mΩ | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | 130 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C] | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | 118 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit) | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55°C to +175°C (TJ) | -55°C to +175°C |
| Hộp | PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²) | PG-TDSON-8-34 (surface mount) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | Automotive Grade (per Infineon datasheet header) | AEC-Q101 (automotive) |
| Technology | OptiMOS 7 trench MOSFET | OptiMOS 5 trench |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Cấp MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Drain-to-Source Voltage (V_DS) | — | 100 V |
| Gate-to-Source Voltage (V_GS) | — | [DATA_NEEDED: max V_GS value] |
| Continuous Drain Current (I_D, Tj) | — | 101 A |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | — | 130 W |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 5.4 mΩ |