IAUT165N08S5N029ATMA2 vs IPB100N04S4H2ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IAUT165N08S5N029ATMA2 bằng Infineon và IPB100N04S4H2ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IAUT165N08S5N029ATMA2 - 80V 165A 2.9mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon
IAUT165N08S5N029ATMA2 ✓ Hoạt độngInfineon
IPB100N04S4H2ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-T2 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB100N04S4H2ATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IAUT165N08S5N029ATMA2 | IPB100N04S4H2ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IAUT165N08S5N029ATMA2 | — |
| Product Family | OptiMOS™ 5 | — |
| Kiểu transitor | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, Tc) | 165 A | — |
| Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) | 660 A | — |
| On-Resistance (R<sub>DS(on)</sub>) | 2.9 mΩ (typical) | — |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>, Tc) | 167 W | — |
| Avalanche Energy (E<sub>AS</sub>) | 225 mJ | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 °C to +175 °C (T<sub>j</sub>) | — |
| Hộp / Vỏ | PG-HSOF-8-1 (8+Tab, Surface Mount) | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Rating | MSL1 (up to 260 °C peak reflow) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 Qualified | AEC-Q101 qualified |
| RoHS Compliance | Green Product (RoHS compliant) | Compliant (Green Product) |
| Avalanche Tested | 100% Avalanche Tested | — |
| FET Type | — | N-Channel, Enhancement Mode |
| Technology | — | OptiMOS-T2 (trench gate) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: max VGS rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| RDS(on) at VGS=10V | — | 2.4 mΩ typical |
| Maximum Power Dissition (PD) at TC=25C | — | 115 W |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | -55C to +175C |
| Storage Temperature | — | [DATA_NEEDED: storage temp range] |
| Hộp | — | PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) Surface Mount |
| Cấp MSL | — | MSL1 (up to 260C peak reflow) |
| Avalanche Energy (EAS) | — | 100% avalanche tested |