IKD10N60RC2ATMA1 vs IGD08N120S7ATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IKD10N60RC2ATMA1 bằng Infineon và IGD08N120S7ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IKD10N60RC2ATMA1 IKD10N60RC2ATMA1 - 600V 10A RC2 IGBT w/ Diode | Infineon

IKD10N60RC2ATMA1 - 600V 10A RC2 IGBT w/ Diode | Infineon

IKD10N60RC2ATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
IGD08N120S7ATMA1 IGD08N120S7ATMA1 - 1200V Trench Stop IGBT, 24A | Infineon

IGD08N120S7ATMA1 - 1200V Trench Stop IGBT, 24A | Infineon

IGD08N120S7ATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IKD10N60RC2ATMA1 IGD08N120S7ATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục IGBTs IGBTs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Collector-Emitter Voltage (V_CE) 600 V —
Continuous Collector Current (I_C nom) 10 A —
Pulsed Collector Current (I_Cp) 18.8 A —
Maximum Power Dissipation (P_tot) 79 W —
Technology TRENCHSTOP RC2 (Trench Field Stop IGBT with monolithically integrated diode) Trench Field Stop, 7th generation
Integrated Diode Yes - reverse-conducting 2-diode co-packed —
Hộp PG-TO252-3 (DPAK, surface mount) PG-TO252-3 (DPAK)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Khoảng nhiệt độ hoạt động -40 C to +175 C (junction) —
Gate-Emitter Voltage (V_GE) [DATA_NEEDED: recommended V_GE value] —
V_CE(sat) at I_C [DATA_NEEDED: typical V_CE(sat)] —
Switching Frequency (typical) 10 - 30 kHz (hard-switching) —
Short-Circuit Withstand Time [DATA_NEEDED: t_sc rating] —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Qualification Industrial (qualified per Infineon product validation) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — IGBT 7 (S7) Trench Field Stop
Collector-Emitter Voltage (Vce max) — 1200 V
Continuous Collector Current (Ic, Tc=25C) — 24 A
Pulsed Collector Current (Icm) — [DATA_NEEDED: pulsed collector current]
Total Power Dissipation (Ptot) — 106 W
Gate-Emitter Voltage (Vge max) — [DATA_NEEDED: Vge max]
VCE(sat) at rated Ic — 1.65 V
Co-packaged Diode — Yes (anti-parallel emitter diode)
Nhiệt độ mối nối hoạt động — -40C to +175C (industry grade)
Configuration — Single

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá