IKD15N60RFATMA1 vs IKD15N60RATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IKD15N60RFATMA1 bằng Infineon và IKD15N60RATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IKD15N60RFATMA1 IKD15N60RFATMA1 - 600V 15A TRENCHSTOP IGBT3 | Infineon

IKD15N60RFATMA1 - 600V 15A TRENCHSTOP IGBT3 | Infineon

IKD15N60RFATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
IKD15N60RATMA1 IKD15N60RATMA1 - 600V 30A Trench Field-Stop IGBT | Infineon

IKD15N60RATMA1 - 600V 30A Trench Field-Stop IGBT | Infineon

IKD15N60RATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IKD15N60RFATMA1 IKD15N60RATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục IGBTs IGBTs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Technology TRENCHSTOP IGBT3 (field-stop trench with anti-parallel diode) —
Collector-Emitter Voltage (VCES) 600 V 600 V
Continuous Collector Current (IC at TC=25C) 30 A —
Continuous Collector Current (IC at TC=100C) 15 A —
Pulsed Collector Current (ICM) [DATA_NEEDED: ICM value] —
Gate-Emitter Voltage (VGES) +/-20 V —
Gate-Emitter Threshold (VGE(th)) [DATA_NEEDED: VGE(th) typical value] —
VCE(sat) at IC=15A, VGE=15V 1.5 V (typical) —
Maximum Power Dissipation (Ptot) 250 W —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -40C to +175C -40 C to +175 C
Integrated Anti-Parallel Diode Yes (RC-Drives Fast, co-packaged) —
Hộp PG-TO252-3 (DPAK), 3 pins (2 + tab) PG-TO252-3 (DPAK), surface mount
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Switching Speed Class Hard-switching, RC-Drives Fast —
Target Application Consumer drives (washing machines, refrigerator compressors, fans, small industrial motor drives) —
RoHS Compliance Compliant —
Kiểu transitor — IGBT - Trench Field Stop with integrated diode
Continuous Collector Current (IC, TC=100C) — 30 A
Pulsed Collector Current (ICM, tp=1ms) — [DATA_NEEDED: pulsed ICM value]
Total Power Dissipation (Ptot, TC=25C) — 250 W
N Nap-Emit (Vce(sat)) — 1.65 V (typical, VGE=15V, IC=15A)
Gate-Emitter Threshold Voltage (VGE(th)) — 2.1 V (VCE=VGE, IC=15A)
Gate Charge (Qg) — 90 nC (typical)
Turn-On Delay / Fall Time (td(on)/tf) — 16 ns / 183 ns (typical)
Integrated Diode — Yes (anti-parallel, co-packaged)
Trạng thái RoHS — Compliant
Gate Drive Voltage (recommended) — 15 V

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá