IPB35N10S3L26ATMA2 vs ISC037N12NM6ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPB35N10S3L26ATMA2 bằng Infineon và ISC037N12NM6ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPB35N10S3L26ATMA2 - 100V 35A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon
IPB35N10S3L26ATMA2 ✓ Hoạt độngInfineon
ISC037N12NM6ATMA1 - 120V 3.7mOhm N-Channel OptiMOS 6 | Infineon
ISC037N12NM6ATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPB35N10S3L26ATMA2 | ISC037N12NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS Power-Transistor | — |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 100 V | 120 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | 35 A | — |
| Điện áp rò rỉ xung | 180 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 71 W | — |
| RDS(on) (typical) | 26.3 mOhm | — |
| Hộp | PG-TO263-3-2 (D2PAK) | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55C to +175C | -55C to +175C (junction) |
| Số lượng chân | 3 | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Automotive Qualified | Yes (per Infineon product page classification) | — |
| Technology | — | OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET) |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C | — | 19.2 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) at Tc | — | 163 A |
| On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V | — | 3.7 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 214 W |
| Gate Charge (Qg) typ | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse) |
| Cấp MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |