IPB35N10S3L26ATMA2 vs ISC037N12NM6ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPB35N10S3L26ATMA2 מאת Infineon ו ISC037N12NM6ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IPB35N10S3L26ATMA2 | ISC037N12NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS Power-Transistor | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 100 V | 120 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | 35 A | — |
| זרם ניקוז פועם | 180 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 71 W | — |
| RDS(on) (typical) | 26.3 mOhm | — |
| מארז | PG-TO263-3-2 (D2PAK) | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +175C | -55C to +175C (junction) |
| מספר פינים | 3 | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Automotive Qualified | Yes (per Infineon product page classification) | — |
| Technology | — | OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET) |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C | — | 19.2 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) at Tc | — | 163 A |
| On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V | — | 3.7 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 214 W |
| Gate Charge (Qg) typ | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse) |
| רמת MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |