IPD30N10S3L34ATMA1 vs IPD35N10S3L26ATMA2 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPD30N10S3L34ATMA1 bằng Infineon và IPD35N10S3L26ATMA2 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPD30N10S3L34ATMA1 - 100V 30A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon
IPD30N10S3L34ATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
IPD35N10S3L26ATMA2 - 100V 35A N-Ch OptiMOS-T MOSFET | Infineon
IPD35N10S3L26ATMA2 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPD30N10S3L34ATMA1 | IPD35N10S3L26ATMA2 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS-T2 | OptiMOS-T |
| Kiểu transitor | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 30 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 180 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | 57 W | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) | 31 mΩ @ VGS=10 V | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) | 1.7 V (range 1.0 V to 2.5 V) | — |
| Total Gate Charge (Qg typ) | 23 nC | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55°C to +175°C | — |
| Hộp | PG-TO252-3-11 (DPAK-2 / SC-63) | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 |
| Cấp MSL | 1 (JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS / REACH | Compliant | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes / Yes | — |
| Avalanche Rated | 100% Avalanche tested | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 35 A |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max | — | 24 mOhm |
| Power Dissipation (Ptot, Tc) | — | 71 W |
| Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> | — | [DATA_NEEDED: gate threshold typical/range] |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | [DATA_NEEDED: Tj min/max] |
| Số chân | — | 3 (Drain, Source, Gate + tab) |
| Technology | — | Trench MOSFET (OptiMOS-T) |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |