IPD30N10S3L34ATMA2 vs IPD50P04P413ATMA2 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPD30N10S3L34ATMA2 bằng Infineon và IPD50P04P413ATMA2 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPD30N10S3L34ATMA2 - 100V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon
IPD30N10S3L34ATMA2 ✓ Hoạt độngInfineon
IPD50P04P413ATMA2 - P-Ch 40V 50A MOSFET | Infineon OptiMOS-P2
IPD50P04P413ATMA2 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPD30N10S3L34ATMA2 | IPD50P04P413ATMA2 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 30 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | 180 A | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | 57 W | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 31 mOhm (typ) | — |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) max | 2.4 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) max | 31 nC | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55 C to +175 C | — |
| Package / Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 (DPAK) | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Pin / Tab Count | 3 (2 + Tab) | — |
| Technology | OptiMOS-T (trench) | OptiMOS-P2 (Trench) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 qualified |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Polarity / Device Type | — | P-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -40 V |
| Continuous Drain Current (TC=25°C, ID) | — | 50 A |
| Continuous Drain Current (TC=100°C, ID) | — | [DATA_NEEDED: ID @ 100°C] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed IDM] |
| Power Dissipation (TC=25°C, Ptot) | — | 58 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-10V | — | 9.2 mΩ (typ) / 12.6 mΩ (max) |
| On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=-4.5V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Maximum Junction Temperature (TJ,max) | — | 175 °C |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55 °C to +175 °C |
| Hộp | — | PG-TO252-3-313 (DPAK) |
| Standard Pack Quantity (13" reel) | — | 2500 pcs |