IPD65R380E6ATMA1 vs IPD65R225C7ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPD65R380E6ATMA1 bằng Infineon và IPD65R225C7ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPD65R380E6ATMA1 - 650V CoolMOS E6 MOSFET 380mΩ 10.6A | Infineon
IPD65R380E6ATMA1 ✓ Hoạt động
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPD65R380E6ATMA1 | IPD65R225C7ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS™ E6 | CoolMOS C7 |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | Superjunction (CoolMOS™) | Super-junction (SJ) / CoolMOS |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 650 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | 10.6 A | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 380 mΩ | — |
| R_DS(on) test conditions | 3.2 A, 10 V | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | 3.5 V typ | — |
| Gate Charge (Q_G) | 39 nC at 10 V | — |
| Input Capacitance (C_iss) | 710 pF at 100 V | — |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | 83 W | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 °C to +150 °C | -55°C to +150°C |
| Hộp | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Cấp MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Drain-Source Voltage (VDSS) | — | 650 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 11 A |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 63 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 225 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V (max) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] |
| Số lượng chân | — | 3 (2 + tab) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (per datasheet) |