IPG20N04S408ATMA1 vs IPG20N06S2L65AATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPG20N04S408ATMA1 bằng Infineon và IPG20N06S2L65AATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPG20N04S408ATMA1 - Dual N-Ch 40V 20A 7.6mOhm OptiMOS | Infineon
IPG20N04S408ATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPG20N04S408ATMA1 | IPG20N06S2L65AATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | Dual N-Channel | Dual N-Channel (Half Bridge / Independent) |
| Technology | OptiMOS (trench MOSFET) | OptiMOS Trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, per channel) | 20 A at 25 degC case | — |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | 7.6 mOhm | — |
| Maximum Power Dissipation (P_D) | 65 W | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55 degC to +175 degC | — |
| Hộp | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 dual) | PG-TDSON-8-10 (TDSON-8 EP, wettable flank) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Cấp MSL | MSL1 (260 degC peak reflow) | MSL1 (peak reflow 260 C) |
| AEC-Q101 Qualified | Yes | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant (Green Product) | Compliant (Green Product) |
| Avalanche Rated | 100 percent tested | — |
| Channel Count | 2 (independent) | — |
| Operating Mode | Enhancement mode, Normal Level | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (per channel) |
| Power Dissipation (PD) | — | 43 W |
| Gate Threshold (VGS(th)) | — | Logic-Level |
| Nhiệt độ hoạt động | — | -55 C to +175 C |
| AEC-Q101 Qualification | — | Yes |
| Avalanche Tested | — | 100% (per datasheet) |
| AOI Compatible | — | Yes (wettable flank) |