IPT007N06NATMA1 vs BSZ060NE2LSATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IPT007N06NATMA1 bằng Infineon và BSZ060NE2LSATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 - 60V 300A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPT007N06NATMA1 - 60V 300A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPT007N06NATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSZ060NE2LSATMA1 BSZ060NE2LSATMA1 - 25V 44A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

BSZ060NE2LSATMA1 - 25V 44A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

BSZ060NE2LSATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IPT007N06NATMA1 BSZ060NE2LSATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS™ (N-Channel Trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 25 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 300 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 44 A
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V max) 0.75 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max] —
Power Dissipation (PD, TC=25C) 375 W —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55 C to +175 C (TJ) -55C to +150C
Hộp PG-HSOF-8-1 (TOLL) PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Configuration Single N-channel —
Gate Charge (QG) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy] —
Thermal Resistance (RthJC max) [DATA_NEEDED: RthJC] —
Cấp MSL MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Đông trùng haogen Yes —
Standard Pack Quantity 3000 (Tape & Reel) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSZ060NE2LSATMA1
Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C — 12 A
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C — 44 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 6 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=4.5V]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation (Ta) — 2.1 W
Power Dissipation (Tc) — 26 W
Shipping Packaging — Tape & Reel

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá