IQD009N06NM5SCATMA1 vs IAUCN04S7L042GATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IQD009N06NM5SCATMA1 bằng Infineon và IAUCN04S7L042GATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IAUCN04S7L042GATMA1 - 40V 77A OptiMOS 7 N-MOSFET, PG-THSOG-4 | Infineon
IAUCN04S7L042GATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IQD009N06NM5SCATMA1 | IAUCN04S7L042GATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Series | OptiMOS 5 60V (IQD009N06NM5) | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | N-Channel enhancement mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | 42 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | 445 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 0.9 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 333 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS abs max, typical +/-20V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] | — |
| Hộp | PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 mm) | PG-THSOG-4 (SSO4G 5x6) leaded surface mount |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount (IMS substrate / FR4 with thermal vias) |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: Tj min/max] | -55C to +175C (Tj) |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL classification] | 1 |
| Tape and Reel Packaging | Yes (suffix SCATMA1) | — |
| Product Family | — | OptiMOS 7 40V |
| Technology | — | Trench N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | — | 77 A |
| Maximum Power Dissipation (PD, Tc) | — | 50 W |
| Automotive Qualified | — | Yes (Automotive grade, AEC-Q101 expected for Infineon OptiMOS 7 automotive parts) |
| Packing | — | Tape & Reel (per -ATMA1 suffix) |
| Target Substrate | — | IMS substrate and legacy FR4 designs |
| On-State Resistance RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V] |