IQE012N03LM5CGATMA1 vs IQE012N03LM5CGSCATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IQE012N03LM5CGATMA1 bằng Infineon và IQE012N03LM5CGSCATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IQE012N03LM5CGSCATMA1 - 30V 1.15mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IQE012N03LM5CGSCATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IQE012N03LM5CGATMA1 | IQE012N03LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 34 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | 224 A | — |
| On-Resistance RDS(on), typ | 1.20 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold VGS(th) | 1.0 V to 2.4 V (typ, OptiMOS 5 logic-level) | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | 107 W | 107 W |
| Technology / Process | OptiMOS 5 trench | — |
| Hộp | PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down, center-gate) | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 × 3.3 mm Source-Down dual-side cooled) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Nhiệt độ hoạt động | -55 C to +150 C (TJ) | — |
| Gate Drive (recommended) | 10 V (logic-level compatible) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Cấp MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020, floor life unlimited) |
| Technology | — | OptiMOS 5 (trench MOSFET) |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta | — | 34 A |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc | — | 224 A |
| Maximum RDS(on) @ VGS=10V | — | 1.15 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2 V (typ, per Merlin listing) |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | -55 °C to +175 °C |
| Lead-Free | — | Yes |