IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 vs IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 bằng Infineon và IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - 25V N-Ch 0.29mΩ MOSFET | Infineon
IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 | IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 7 Power-Transistor | — |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 54 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 422 A | — |
| RDS(on) Max | 0.5 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | 2 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 150 W | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 °C | — |
| Hộp | PG-WHTFN-9-1 (surface mount) | PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Series | OptiMOS 7 | — |
| Technology | Silicon N-Channel Power MOSFET | OptiMOS 5 Power-Transistor |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 75 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 789 A |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 278 W |
| Maximum On-Resistance RDS(on) | — | 0.29 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 2 V (typ) |
| Số chân | — | 9 |
| Cooling | — | Dual-side exposed pad (top + bottom) |
| Cấp MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant |