IRF7105TRPBF vs FDS6575 So sánh

So sánh chi tiết song song của IRF7105TRPBF bằng Infineon và FDS6575 bằng onsemi. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF - Dual N+P HEXFET MOSFET, 25V, 8-SO | Infineon

IRF7105TRPBF - Dual N+P HEXFET MOSFET, 25V, 8-SO | Infineon

IRF7105TRPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRF7105TRPBF FDS6575
Thương hiệu Infineon onsemi
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Series IRF7105 (HEXFET Fifth Generation) —
Polarity / Configuration N-Channel + P-Channel, dual MOSFET in one package —
Drain-to-Source Voltage (Vds) 25 V —
Continuous Drain Current - N-channel (Id, N-ch) 3.5 A —
Continuous Drain Current - P-channel (Id, P-ch) 2.3 A —
Rds(on) Maximum 100 mOhm —
Technology HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) PowerTrench (rugged gate)
Hộp 8-SO (SOIC-8) SOIC-8 (SO-8)
Total Package Power Dissipation (Pd) 2 W —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Khoảng nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: junction temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)] —
Packaging Form Tape & Reel (TR) —
Lead-Free / RoHS Status Pb-free (PBF suffix), RoHS compliant —
Số chân 8 —
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -20 V
Continuous Drain Current (ID) — -10 A
On-Resistance (RDS(on)) — 13 mOhm max at VGS = -4.5 V
Gate Drive Voltage Range — 2.5 V to 8 V
Điện áp mức ngưỡng cửa — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation — [DATA_NEEDED: power dissipation at TA]
Configuration — Single MOSFET
Gate Source Voltage (VGS) Range — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Trạng thái RoHS — Compliant

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá