IRF7105TRPBF vs FDS6575 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRF7105TRPBF توسط Infineon و FDS6575 توسط onsemi. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRF7105TRPBF FDS6575
برند Infineon onsemi
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Series IRF7105 (HEXFET Fifth Generation) —
Polarity / Configuration N-Channel + P-Channel, dual MOSFET in one package —
Drain-to-Source Voltage (Vds) 25 V —
Continuous Drain Current - N-channel (Id, N-ch) 3.5 A —
Continuous Drain Current - P-channel (Id, P-ch) 2.3 A —
Rds(on) Maximum 100 mOhm —
Technology HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) PowerTrench (rugged gate)
بسته‌بندی 8-SO (SOIC-8) SOIC-8 (SO-8)
Total Package Power Dissipation (Pd) 2 W —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری [DATA_NEEDED: junction temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)] —
Packaging Form Tape & Reel (TR) —
Lead-Free / RoHS Status Pb-free (PBF suffix), RoHS compliant —
تعداد پایه 8 —
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -20 V
Continuous Drain Current (ID) — -10 A
On-Resistance (RDS(on)) — 13 mOhm max at VGS = -4.5 V
Gate Drive Voltage Range — 2.5 V to 8 V
ولتاژ آستانه گیت — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation — [DATA_NEEDED: power dissipation at TA]
Configuration — Single MOSFET
Gate Source Voltage (VGS) Range — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
وضعیت RoHS — Compliant

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت