IRFP2907PBF vs IRF1405PBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRFP2907PBF bằng Infineon và IRF1405PBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRFP2907PBF IRFP2907PBF - 75V 209A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFP2907PBF - 75V 209A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFP2907PBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRF1405PBF IRF1405PBF - 55V 169A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF1405PBF - 55V 169A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF1405PBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRFP2907PBF IRF1405PBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number IRFP2907PBF —
Technology HEXFET Stripe Planar DMOS (N-Channel) HEXFET (Stripe Planar cell structure)
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 75 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C = 25 C 209 A —
Static Drain-to-Source On-Resistance (R_DS(on)) 4.5 mOhm at V_GS = 10 V —
Power Dissipation (P_D) at T_C = 25 C 470 W —
Total Gate Charge (Q_g) 410 nC —
Maximum Junction Operating Temperature +175 C —
Package / Mounting Type TO-247AC (Through Hole) —
Số chân 3 (Gate, Drain, Source) —
RoHS Compliance Yes (Pb-free) —
Avalanche Rated Yes (repetitive avalanche rated) —
Body Diode Integral (no external anti-parallel diode required) —
Lead-Free Yes —
Part Number Suffix — PbF (lead-free, RoHS compliant)
Kiểu transitor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) — 55 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25C) — 169 A
Continuous Drain Current (I_D, Tc=100C) — [DATA_NEEDED: I_D at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating]
Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) — 330 W
R_DS(on) Maximum — 5.3 mOhm @ V_GS = 10 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Maximum Gate-Source Voltage (V_GS) — [DATA_NEEDED: maximum V_GS rating]
Operating Junction Temperature (T_J max) — 175 C
Storage Temperature Range — [DATA_NEEDED: storage temperature range]
Hộp — TO-220AB (through-hole)
Kiểu lắp đặt — Through Hole
Qualification — JEDEC qualified, optimized for switching below 100 kHz
Trạng thái RoHS — PbF suffix indicates lead-free / RoHS compliant
Single Pulse Avalanche Energy (E_AS) — [DATA_NEEDED: avalanche energy rating]
Thermal Resistance Junction-to-Case (R_theta_JC) — [DATA_NEEDED: thermal resistance R_theta_JC]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá