IRFR2405TRPBF vs IRLB8748PBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRFR2405TRPBF bằng Infineon và IRLB8748PBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF - 55V 56A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR2405TRPBF - 55V 56A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR2405TRPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRLB8748PBF IRLB8748PBF - 30V 92A N-Channel StrongIRFET MOSFET | Infineon

IRLB8748PBF - 30V 92A N-Channel StrongIRFET MOSFET | Infineon

IRLB8748PBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRFR2405TRPBF IRLB8748PBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 56 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 16 mOhm 4.8 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V] —
Total Gate Charge (Qg) 70 nC 15 nC typical
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55C to +175C —
Hộp TO-252AA (DPAK) —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Through Hole
Số chân 3 (Gate, Drain, Source) + Tab —
Cấp MSL 1 —
Trạng thái RoHS Compliant (Lead-Free PBF suffix) Compliant (Pb-free PBF suffix)
Đông trùng haogen [DATA_NEEDED: halogen-free status] —
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 92 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 75 W
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55C to +175C (junction)
Package Type — TO-220AB through-hole
Technology Family — StrongIRFET / HEXFET
Channel Type — N-Channel
Logic-Level Gate Drive — Yes (optimized for 5V VGS)
Qualification Standard — JEDEC (Industrial market per datasheet)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá