IRLR3410TRPBF vs IRLR2705TRLPBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IRLR3410TRPBF bằng Infineon và IRLR2705TRLPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRLR3410TRPBF | IRLR2705TRLPBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) | IR MOSFET (HEXFET, 5th generation) |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | 17 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 79 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 105 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) | Logic-level (drive ~4.5V) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 22.7 nC | — |
| Hộp | TO-252AA (DPAK), surface mount | TO-252AA (DPAK) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55C to +175C (junction) | -55C to +175C |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix) | — |
| Cấp MSL | 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH) | 1 (unlimited floor life at <30C / 85% RH) |
| Drain Tab Connection | Tab electrically tied to Drain | — |
| Polarity | N-Channel enhancement mode | — |
| Kiểu transitor | — | N-Channel MOSFET (HexFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 28 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | — | 40 mOhm |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.0 V to 2.0 V (logic-level) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | 20 V |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 68 W |
| Avalanche Rated | — | Yes (fully avalanche rated) |
| Lead-Free / RoHS Status | — | Lead-Free, RoHS Compliant |
| Configuration | — | Single N-Channel |