ISC015N06NM5LF2ATMA1 vs IPT008N06NM5LFATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của ISC015N06NM5LF2ATMA1 bằng Infineon và IPT008N06NM5LFATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
ISC015N06NM5LF2ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 Linear FET | Infineon
ISC015N06NM5LF2ATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
IPT008N06NM5LFATMA1 - 60V 454A 0.8mΩ N-Ch MOSFET HSOF-8 | Infineon
IPT008N06NM5LFATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | ISC015N06NM5LF2ATMA1 | IPT008N06NM5LFATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Technology | OptiMOS 5 Linear FET 2 (N-Channel) | Trench MOSFET (OptiMOS 5) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 32 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | 275 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 217 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 1.55 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) | 1.3 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3 V | — |
| Gate-Source Voltage Rating | ±20 V | — |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | 1.3 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 6.9 nF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 1.3 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 55 pF | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 90 nC | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55 °C to +175 °C | — |
| Hộp | PG-TDSON-8 FL (5x6 mm) | PG-HSOF-8 (single, flat-lead) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS | Compliant | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS 5 / Linear FET |
| Kiểu transitor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 454 A |
| Điện áp rò rỉ xung | — | [DATA_NEEDED: pulsed ID] |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V | — | 0.8 mΩ |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) | — | 3.6 V (typ, 250 µA test) |
| Power Dissipation (Tc) | — | 278 W |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| Gate Drive (recommended) | — | 10 V (logic-level compatible above 4.5 V VGS) |
| Cấp MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant |
| REACH Status | — | Compliant |
| AEC-Q100 | — | not_qualified (industrial-grade by default) |