ISC015N06NM5LF2ATMA1 vs IPT008N06NM5LFATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של ISC015N06NM5LF2ATMA1 מאת Infineon ו IPT008N06NM5LFATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
ISC015N06NM5LF2ATMA1 ISC015N06NM5LF2ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 Linear FET | Infineon

ISC015N06NM5LF2ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 Linear FET | Infineon

ISC015N06NM5LF2ATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר ISC015N06NM5LF2ATMA1 IPT008N06NM5LFATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Technology OptiMOS 5 Linear FET 2 (N-Channel) Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 32 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 275 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 217 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 1.55 mΩ —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) 1.3 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3 V —
Gate-Source Voltage Rating ±20 V —
Reverse Recovery Charge (Qrr) 1.3 nC —
Input Capacitance (Ciss) 6.9 nF —
Output Capacitance (Coss) 1.3 nF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 55 pF —
Total Gate Charge (Qg) 90 nC —
טמפרטורת צומת פעולה -55 °C to +175 °C —
מארז PG-TDSON-8 FL (5x6 mm) PG-HSOF-8 (single, flat-lead)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS 5 / Linear FET
סוג טרנזיסטור — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 454 A
זרם ניקוז פועם — [DATA_NEEDED: pulsed ID]
On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V — 0.8 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — 3.6 V (typ, 250 µA test)
Power Dissipation (Tc) — 278 W
טווח טמפרטורת פעולה — -55 °C to +175 °C (TJ)
Gate Drive (recommended) — 10 V (logic-level compatible above 4.5 V VGS)
רמת MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
סטטוס RoHS — Compliant
REACH Status — Compliant
AEC-Q100 — not_qualified (industrial-grade by default)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר