ISCH57N04NM7VSCATMA1 vs IQDH35N03LM5SCATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của ISCH57N04NM7VSCATMA1 bằng Infineon và IQDH35N03LM5SCATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
ISCH57N04NM7VSCATMA1 - 40V 443A OptiMOS 7 Dual-Side Cooled MOSFET | Infineon
ISCH57N04NM7VSCATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
IQDH35N03LM5SCATMA1 - 30V 700A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IQDH35N03LM5SCATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | ISCH57N04NM7VSCATMA1 | IQDH35N03LM5SCATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 7 (trench) | OptiMOS 5 (trench, shielded-gate) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 52 A | 66 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | [DATA_NEEDED: ID at Tc value, datasheet not in verified data] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | 443 A | 700 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 214 W | 278 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 C to +175 C (typical MOSFET junction range) | -55 C to +175 C |
| Hộp | PG-WSON-8-2 (PQFN 5x6 mm, Dual Side Cooled) | PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single N-channel, source-down lead-frame | — |
| Cooling | Dual Side Cooled (top + bottom thermal interface) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Kiểu transitor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 30 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 0.35 mOhm @ VGS=10V |
| Cấp MSL | — | 1 (unlimited) |
| Marking | — | IQDH35N03LM5S |