K3LK4L40DM-BGCT vs MT40A512M8RH-075E:B So sánh
So sánh chi tiết song song của K3LK4L40DM-BGCT bằng Samsung Electronics và MT40A512M8RH-075E:B bằng Micron Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K3LK4L40DM-BGCT - Samsung DRAM Memory IC | Samsung Electronics
K3LK4L40DM-BGCT ✓ Hoạt độngMicron Technology
MT40A512M8RH-075E:B - DDR4 4Gb 2666 MT/s SDRAM | Micron
MT40A512M8RH-075E:B ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K3LK4L40DM-BGCT | MT40A512M8RH-075E:B |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Danh mục | DRAM | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | DRAM (SDRAM component) | DDR4 SDRAM |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| Density | [DATA_NEEDED: Density] | 4 Gbit |
| Organization (x-width) | [DATA_NEEDED: Organization] | — |
| Tốc độ dữ liệu | [DATA_NEEDED: Data Rate] | 2666 MT/s (DDR4-2666) |
| Supply Voltage Class | [DATA_NEEDED: Supply Voltage] | — |
| Latency CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Package Type | BGA (per -BGC ordering-code suffix) | — |
| Package Ball Count | [DATA_NEEDED: Ball Count] | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range (standard grade)] |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: Refresh Interval] | — |
| Trạng thái RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead Free | [DATA_NEEDED: Lead-Free Status] | — |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] | — |
| Packaging | Tape & Reel (per -T-style suffix convention) [DATA_NEEDED: confirmed packaging] | — |
| Tổ chức | — | 512M x 8 |
| Clock Frequency | — | 1333 MHz (1.33 GHz) |
| VDD Supply Voltage | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VDDQ Supply Voltage | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5 V, -125 mV/+250 mV |
| Loại giao diện | — | Parallel |
| I/O Structure | — | 1.2V pseudo open-drain |
| Điện áp tham chiếu | — | On-die internal adjustable VREFDQ generation |
| Hộp | — | 78-FBGA (9 x 10.5 mm), TFBGA |
| Refresh | — | Refresh max interval extension at extended TC temperature range (125C capable per family features) |
| Speed Grade Suffix | — | -075E |
| Packaging Option Suffix | — | :B (ball map B designation per Mouser listing) |