K4A8G085WC-BCPB vs K4A8G085WC-BCTD So sánh
So sánh chi tiết song song của K4A8G085WC-BCPB bằng Samsung Electronics và K4A8G085WC-BCTD bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCPB ✗ Cuối đờiSamsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ Lần mua cuốiSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K4A8G085WC-BCPB | K4A8G085WC-BCTD |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Danh mục | DRAM | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Cuối chu kỳ cuộc sống | Lần mua cuối |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Tổ chức | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Tốc độ dữ liệu | 2133 Mbps | 2666 Mbps (PC4-2133) |
| Điện áp cung cấp | 1.2 V | — |
| Nhiệt độ hoạt động | 0 C to +85 C | 0C to +95C |
| Hộp | 78FBGA | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Maximum Seated Height | 1.2 mm | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade | DDR4-2133 | — |
| Tính năng | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] | — |
| Latency CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Trạng thái RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Die Revision | [DATA_NEEDED: die revision] | — |
| Standard Package Quantity | [DATA_NEEDED: standard package quantity] | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Standard Operating Temp Range | — | 0C to +85C |
| Burst Length | — | 8 (chop 4) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Loại giao diện | — | Synchronous, parallel |