K4A8G165WB-BCPB vs MT40A256M16GE-075E:B So sánh

So sánh chi tiết song song của K4A8G165WB-BCPB bằng Samsung Electronics và MT40A256M16GE-075E:B bằng Micron Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCPB K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCPB ✓ Hoạt động
Micron Technology
MT40A256M16GE-075E:B MT40A256M16GE-075E:B - 4Gb DDR4 SDRAM 2666 MT/s | Micron

MT40A256M16GE-075E:B - 4Gb DDR4 SDRAM 2666 MT/s | Micron

MT40A256M16GE-075E:B ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4A8G165WB-BCPB MT40A256M16GE-075E:B
Thương hiệu Samsung Electronics Micron Technology
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Giá đơn vị (USD) — $3,95
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
Tổ chức 512M x 16 256M x 16
Tốc độ dữ liệu 2133 Mbps 2666 MT/s (DDR4-2666)
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
I/O Voltage (VDDQ) 1.2 V —
Nhiệt độ hoạt động 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range for standard grade]
Hộp 96FBGA (TFBGA) 96-FBGA (9 x 14 mm)
Number of Terminals 96 —
Package Shape Rectangular, bottom terminal position —
Die Generation 8Gb B-die —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Giao diện DDR4 (synchronous, double data rate) —
Bank Groups DDR4 bank-group architecture —
Trạng thái RoHS Compliant (per Lisleapex listing) —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh specification] 64 ms / 8192-cycle; 32 ms / 8192-cycle at 95C
Kích thước bộ nhớ — 4 Gbit
Memory Interface — Parallel
Clock Frequency — 1.33 GHz
VDD / VDDQ — 1.2 V +/-60 mV
VPP — 2.5 V, -125 mV/+250 mV
Internal Banks — 16
I/O Type — 1.2 V pseudo open-drain
VREFDQ — On-die, internal, adjustable generation
Special Features — Temperature controlled refresh (TCR)
Access Time — [DATA_NEEDED: CAS latency / access time]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá