K4A8G165WB-BCRC vs K4A4G165WD-BCRC So sánh

So sánh chi tiết song song của K4A8G165WB-BCRC bằng Samsung Electronics và K4A4G165WD-BCRC bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCRC K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCRC ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K4A4G165WD-BCRC K4A4G165WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400MHz | Samsung

K4A4G165WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400MHz | Samsung

K4A4G165WD-BCRC ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4A8G165WB-BCRC K4A4G165WD-BCRC
Thương hiệu Samsung Electronics Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) DDR4 SDRAM
Kích thước bộ nhớ 8 Gb —
Memory Organization 512M x 16 —
Giao diện Parallel (DDR4 SDRAM bus) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Tốc độ dữ liệu 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) —
Technology CMOS, B-die 8Gb die —
Hộp 96-ball FBGA (PBGA96) FBGA-96
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Nhiệt độ hoạt động -40C to +95C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Auto Precharge Yes Yes
Asynchronous Reset Yes —
CRC / CA Parity CRC function supported —
On-Chip Termination Dynamic ODT —
ZQ Calibration Yes Yes
Clock Frequency 1200 MHz (DDR4-2400) —
Density — 4 Gbit
Tổ chức — 256M x 16
Speed Bin — DDR4-2400 (BCRC)
Điện áp cung cấp — 1.2 V
Process Generation — Samsung D-die
Loại giao diện — DDR4 (double data rate, parallel)
On-Die Termination (ODT) — Yes
Data Mask Function — Yes
CRC Function — Yes
Trạng thái RoHS — Lead free / RoHS Compliant
Package Dimensions — [DATA_NEEDED: package dimensions]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá