K4A8G165WB-BCRC vs K4A4G165WD-BCRC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G165WB-BCRC توسط Samsung Electronics و K4A4G165WD-BCRC توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A8G165WB-BCRC | K4A4G165WD-BCRC |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) | DDR4 SDRAM |
| اندازه حافظه | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| رابط | Parallel (DDR4 SDRAM bus) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| نرخ داده | 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) | — |
| Technology | CMOS, B-die 8Gb die | — |
| بسته‌بندی | 96-ball FBGA (PBGA96) | FBGA-96 |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای کاری | -40C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC / CA Parity | CRC function supported | — |
| On-Chip Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Clock Frequency | 1200 MHz (DDR4-2400) | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| سازمان | — | 256M x 16 |
| Speed Bin | — | DDR4-2400 (BCRC) |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.2 V |
| Process Generation | — | Samsung D-die |
| نوع رابط | — | DDR4 (double data rate, parallel) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| وضعیت RoHS | — | Lead free / RoHS Compliant |
| Package Dimensions | — | [DATA_NEEDED: package dimensions] |