K4A8G165WB-BCTD vs K4A8G165WC-BCTD So sánh
So sánh chi tiết song song của K4A8G165WB-BCTD bằng Samsung Electronics và K4A8G165WC-BCTD bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BCTD ✓ Hoạt độngSamsung Electronics
K4A8G165WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WC-BCTD ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K4A8G165WB-BCTD | K4A8G165WC-BCTD |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Danh mục | DRAM | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Tổ chức | 512M x 16 | 512M x16 |
| Tốc độ dữ liệu | 2666 Mbps | 2666 Mbps (DDR4-2666) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Nhiệt độ hoạt động | 0C to +85C | 0C to +95C |
| Hộp | 96FBGA | 96FBGA |
| Die Generation | B-die | C-die (1Y nm-class process) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Giao diện | DDR4 (parallel, double data rate) | — |
| Data Mask | Supported (DM per x16 lane) | Yes (x16 DM) |
| ZQ Calibration | Supported | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | Supported | — |
| Latency CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant (per JLCPCB listing: ROHS) | Compliant |
| Moisture Sensitivity Level | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| Clock Frequency | — | 1.333 GHz |
| Operating Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| CRC Function | — | Yes (write CRC) |
| On-Die Termination | — | Dynamic ODT |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |