K6F3216U6M-EF70T vs K6X0808C1D-BF70T So sánh
So sánh chi tiết song song của K6F3216U6M-EF70T bằng Samsung Electronics và K6X0808C1D-BF70T bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K6F3216U6M-EF70T - 32Mbit Async SRAM 2Mx16 | Samsung
K6F3216U6M-EF70T ✓ Hoạt độngSamsung Electronics
K6X0808C1D-BF70T - 32Kx8 70ns Async SRAM 5V | Samsung
K6X0808C1D-BF70T ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K6F3216U6M-EF70T | K6X0808C1D-BF70T |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | DRAM |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| Kích thước bộ nhớ | 32 Mbit | 256 Kbit |
| Tổ chức | 2M x 16 | — |
| Điện áp cung cấp | 3 V | — |
| Access Time | 55 ns | 70 ns |
| Giao diện | Parallel | — |
| Technology | Full CMOS Static RAM | — |
| Hộp | 55-TFBGA (7.5 x 12 mm) | 28-SOP |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | -40C to +85C (TA) |
| Speed Grade | -EF70 (55 ns) | — |
| Standard Pack Qty | 2400 | — |
| Trạng thái RoHS | NO (per third-party listing) | Compliant |
| Memory Composition | Volatile SRAM | — |
| Refresh Requirement | None (static memory) | None (fully static operation) |
| Memory Organization | — | 32K x 8 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Write Cycle Time - Word, Page | — | 70 ns |
| Voltage - Supply | — | 4.5 V to 5.5 V |
| Process Technology | — | CMOS |
| Address Bus Width | — | 15 bit (A0-A14) |
| Bề rộng đường dữ liệu | — | 8 bit (I/O0-I/O7) |
| Control Signals | — | CE, OE, WE |
| I/O Compatibility | — | TTL compatible |