K9HQGY8S5M vs K9ADGD8S0A So sánh

So sánh chi tiết song song của K9HQGY8S5M bằng Samsung Electronics và K9ADGD8S0A bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K9HQGY8S5M K9HQGY8S5M - 3D V-NAND Flash, FBGA-316 | Samsung | SSD Storage

K9HQGY8S5M - 3D V-NAND Flash, FBGA-316 | Samsung | SSD Storage

K9HQGY8S5M ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K9ADGD8S0A K9ADGD8S0A - 3D V-NAND TCAT Flash Memory Die | Samsung

K9ADGD8S0A - 3D V-NAND TCAT Flash Memory Die | Samsung

K9ADGD8S0A ✗ Cuối đời

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K9HQGY8S5M K9ADGD8S0A
Thương hiệu Samsung Electronics Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs EEPROM
Trạng thái vòng đời Hoạt động Cuối chu kỳ cuộc sống
Manufacturer Samsung Electronics Samsung Electronics
Product Type 3D V-NAND Flash Memory (stacked, client NAND) —
Package Type 316-ball Fine Pitch BGA (FBGA-316) —
Die Configuration 4 x K9ADGD8S0A V-NAND dies (per TechInsights package analysis) —
NAND Technology 32-layer pMLC 3D V-NAND (per Samsung 850 Pro 256 GB analysis) —
Memory Class Non-volatile NAND flash Non-volatile NAND flash
Giao diện NAND (ONFI/Toggle-style asynchronous interface) - exact timing mode [DATA_NEEDED: interface timing mode] [DATA_NEEDED: interface type]
Density [DATA_NEEDED: total bit density] —
Điện áp cung cấp [DATA_NEEDED: VCC range] [DATA_NEEDED: supply voltage]
Page Size [DATA_NEEDED: page size] [DATA_NEEDED: page size]
Block Size [DATA_NEEDED: block size] —
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: P/E endurance rating] [DATA_NEEDED: endurance]
Kiểu lắp đặt Surface Mount (BGA) —
Nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature]
Trạng thái RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Cấp MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Original Application Samsung SSD 850 Pro solid-state drive —
Device Type — 3D V-NAND flash memory bare die
Process Technology — Terabit Cell Array Transistor (TCAT)
Architecture — 3D vertical NAND (V-NAND)
Form Factor — Bare die (unpackaged)
Found In — Samsung K9HQGY8S5M-CCK0 and K9LPGY8S1M-CCK0 packages
Known Application — Samsung 850 Pro 128 GB SSD
Documented By — TechInsights report SAR-1407-802
Capacity — [DATA_NEEDED: die capacity]
Hộp — [DATA_NEEDED: package]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá