M29F400FB55N3F2 vs M29F200FB55N3F2 So sánh

So sánh chi tiết song song của M29F400FB55N3F2 bằng Micron Technology và M29F200FB55N3F2 bằng Micron Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Micron Technology
M29F400FB55N3F2 M29F400FB55N3F2 - 4Mbit 55ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29F400FB55N3F2 - 4Mbit 55ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29F400FB55N3F2 ✓ Hoạt động
Micron Technology
M29F200FB55N3F2 M29F200FB55N3F2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29F200FB55N3F2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29F200FB55N3F2 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số M29F400FB55N3F2 M29F200FB55N3F2
Thương hiệu Micron Technology Micron Technology
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ NOR Flash Parallel NOR Flash
Density 4 Mbit (4194 kbit) 2 Mbit (2097 kbits)
Tổ chức 256K x 16 / 512K x 8 256K x 8 bit / 128K x 16 bit
Access Time 55 ns 55 ns
Điện áp cung cấp 5 V —
Giao diện Parallel Parallel
Boot Block Bottom boot block —
Nhiệt độ hoạt động -40C to +125C -40C to +125C
Program/Erase Controller Embedded byte/word program algorithms —
Hộp 48-TSOP I 48-TSOP I
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Standard Package Quantity 1500 units (Tape & Reel) —
Active/Standby Current [DATA_NEEDED: active and standby current] —
Erase/Program Endurance [DATA_NEEDED: endurance cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: retention years] —
VIO Range [DATA_NEEDED: I/O voltage range] —
Trạng thái RoHS Compliant (lead-free build per F2 suffix) [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
Number of Words — 128 K (x16 mode)
Bits per Word — 16 bits
Supply Voltage (VCC) — 5 V
Boot Block Architecture — Bottom Boot Block (FB)
Programming — Embedded byte/word program algorithm
Erase — Embedded block erase controller
Packaging — Tape & Reel (TR)
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá