MRF5S19060MR1 vs MRF5S19060NBR1 So sánh
So sánh chi tiết song song của MRF5S19060MR1 bằng NXP Semiconductors và MRF5S19060NBR1 bằng NXP Semiconductors. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
NXP Semiconductors
MRF5S19060MR1 - 12W RF Power MOSFET 1930-1990 MHz TO-270 | NXP
MRF5S19060MR1 ✓ Hoạt độngNXP Semiconductors
MRF5S19060NBR1 - 60W RF Power MOSFET 1930-1990 MHz | NXP
MRF5S19060NBR1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | MRF5S19060MR1 | MRF5S19060NBR1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | NXP (formerly Freescale Semiconductor) | NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor) |
| Part Number | MRF5S19060MR1 | — |
| Kiểu transitor | N-Channel LDMOS RF Power MOSFET | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET (LDMOS RF Power) |
| Frequency Range | 1930 MHz to 1990 MHz | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 65 V (max) | 65 V (max) |
| Drain Current (Id) | 750 mA | — |
| Output Power (Pout, avg) | 12 W (N-CDMA) | — |
| Output Power (Pout, PEP) | 60 W (typical) | — |
| Power Gain (Gps) | 14 dB (typical) | — |
| Drain Efficiency (etaD) | 45% (typical) | — |
| Operating Voltage | 28 V | — |
| Hộp | TO-270 WB-4 (Ceramic) | TO-272 WB-4 (overmolded plastic) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount / Flange Mount | Surface Mount (SMD) |
| Test Signal | 2 x N-CDMA | — |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] |
| Trạng thái RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] |
| Operating Class | Class AB | — |
| Configuration | — | Dual Die (2 x N), Common Source |
| Frequency Band | — | 1930 MHz to 1990 MHz |
| Output Power (P1dB) | — | 60 W (CW/peak) |
| Output Power (Average) | — | 12 W avg. |
| Drain Supply Voltage | — | 28 V (typical) |
| Power Gain | — | 14 dB at 1.99 GHz |
| Drain Current | — | 750 mA (typical operating DC) |
| Số chân | — | 5 |
| Peak Reflow Temperature | — | 260 C |
| Maximum Power Dissipation (Absolute) | — | 218.8 W |
| Technology | — | Silicon LDMOS |