MRF6S19200HR5 vs MRFE6S9200HR3 So sánh
So sánh chi tiết song song của MRF6S19200HR5 bằng NXP Semiconductors và MRFE6S9200HR3 bằng NXP Semiconductors. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | MRF6S19200HR5 | MRFE6S9200HR3 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu transitor | LDMOS | N-Channel LDMOS (RF Power) |
| Technology | RF Power MOSFET | Enhancement-mode LDMOS (HV6E) |
| Drain-Source Voltage (Vds) Max | 66 V | — |
| Test Voltage (Vds) | 28 V | — |
| Test Current (Ids) | 1.6 A | — |
| Frequency Range | 1.93 GHz to 1.99 GHz | — |
| Power Gain (Typ) | 17.9 dB | — |
| Output Power (Pout) | 56 W (CW) | — |
| Hộp | NI-780H-2L (ceramic flange) | NI-880H-2L ceramic air-cavity |
| Kiểu lắp đặt | Flange / Screw Mount | Chassis / flange mount, SMD variant 5.08 mm height |
| Operating Mode | Class AB, Class C | Class AB, Class C, Doherty |
| Application | CDMA base station, multicarrier amplifiers | — |
| Input Matching | Internal (broadband) | — |
| Lead Free Status | Yes | Lead Free (per datasheet) |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Frequency | — | 880 MHz (test), broadband up to 1000 MHz |
| Drain-Source Voltage (Vdss) Rated | — | 66 V |
| Test Supply Voltage | — | 28 V |
| Test Quiescent Current | — | 1.4 A |
| Output Power (Avg) | — | 58 W (W-CDMA) |
| Power Gain | — | 21 dB at 880 MHz |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 557.27 pF at 28 V |
| Target Application | — | W-CDMA base-station final stage |