MRF6S21100NBR1 vs MRF6S21100NR1 So sánh

So sánh chi tiết song song của MRF6S21100NBR1 bằng NXP Semiconductors và MRF6S21100NR1 bằng NXP Semiconductors. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

NXP Semiconductors
MRF6S21100NBR1 MRF6S21100NBR1 - 23W RF Power LDMOS 2.11-2.17GHz | NXP

MRF6S21100NBR1 - 23W RF Power LDMOS 2.11-2.17GHz | NXP

MRF6S21100NBR1 Obsolete
NXP Semiconductors
MRF6S21100NR1 MRF6S21100NR1 - 23W 2.11-2.17GHz RF Power LDMOS | NXP

MRF6S21100NR1 - 23W 2.11-2.17GHz RF Power LDMOS | NXP

MRF6S21100NR1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số MRF6S21100NBR1 MRF6S21100NR1
Thương hiệu NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Obsolete Hoạt động
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale) NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor)
Kiểu transitor N-Channel Enhancement-Mode LDMOS (Lateral MOSFET) LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
Operating Frequency Range 2110 MHz to 2170 MHz —
Drain Supply Voltage (Typical) 28 V —
Pout (Average, W-CDMA) 23 W —
Power Gain (Typical) 14.5 dB —
Operating Current (at Pout) 1.05 A —
Quiescent Current (IDQ, Typical) 1600 mA —
Drain Voltage Rated 68 V —
Hộp / Vỏ TO-272 WB-4 (plastic over-molded) TO-270 WB-4 (Case 1486-03, Style 1)
Supplier Device Package TO-272BB —
Kiểu lắp đặt Surface Mount / Flange Mount with PCB thermal pad Surface Mount (plastic overmold)
Technology LDMOS, enhancement-mode RF Power LDMOS (7th-generation)
Application W-CDMA base station, TD-SCDMA, multicarrier PA, cellular final-stage —
Part Status Obsolete —
Trạng thái RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: confirm RoHS compliance status]
Nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Frequency Band — 2110 MHz to 2170 MHz (W-CDMA downlink)
Drain Voltage (VDD) — 28 V
Drain Current (Continuous) — 1.05 A
Drain Current (Pulsed) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Power Gain — 14.5 dB typical at 2.11 GHz
Output Power (Pout) — 23 W average (W-CDMA)
Quiescent Current (IDQ) — 1600 mA
Operating Mode — Class AB
Modulation Support — W-CDMA, TDMA, CDMA, multi-carrier
Drain-Source Breakdown (V(BR)DSS) — 68 V (rated)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá