MW7IC2040NBR1 vs MW7IC2220NBR1 So sánh
So sánh chi tiết song song của MW7IC2040NBR1 bằng NXP Semiconductors và MW7IC2220NBR1 bằng NXP Semiconductors. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
NXP Semiconductors
MW7IC2040NBR1 - 4W RF LDMOS Wideband Power Amplifier | NXP Semiconductors
MW7IC2040NBR1 ✓ Hoạt độngNXP Semiconductors
MW7IC2220NBR1 - 2W W-CDMA RF Power Amplifier 2.11-2.17 GHz | NXP
MW7IC2220NBR1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | MW7IC2040NBR1 | MW7IC2220NBR1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| Danh mục | RF Amplifiers | RF Amplifiers |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| RF Type | General Purpose | — |
| Frequency Range | 1930 MHz to 1990 MHz (PCS) / 1805 MHz to 1880 MHz (DCS) | 2000 MHz to 2200 MHz (usable), 2110-2170 MHz (W-CDMA band) |
| Test Frequency | 1990 MHz | — |
| Gain | 23.5 dB (typ at 1990 MHz) | — |
| Output Power (P1dB/avg) | 4 W (family rating) | — |
| Điện áp cung cấp | 24 V to 32 V | — |
| Quiescent Supply Current | 75 mA (typ) | — |
| Hộp / Vỏ | TO-272-16 Variant, Flat Leads | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount (flange/over-molded) |
| Technology | RF LDMOS (later-generation, on-chip matching) | RF LDMOS (Laterally Diffused MOSFET) |
| Number of Functions | 1 (multi-stage integrated PA) | — |
| Nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Storage Temperature | [DATA_NEEDED: storage temperature range] | — |
| Modulation Support | W-CDMA, GSM, EDGE, CW | W-CDMA, TD-SCDMA, LTE, multi-carrier |
| Trạng thái RoHS | Compliant (per ETEI / distributor data) | — |
| Chức năng | — | W-CDMA Wideband Integrated Power Amplifier |
| Operating Frequency (typical) | — | 2167.5 MHz |
| Average Output Power | — | 2 W (33 dBm) |
| Drain Supply Voltage (VDD) | — | 28 V (24 V to 32 V operating range) |
| Small-Signal Gain | — | 31 dB (typical at 2.17 GHz) |
| Quiescent Current Stage 1 (IDQ1) | — | 80 mA |
| Quiescent Current Stage 2 (IDQ2) | — | 300 mA |
| Package Type | — | TO-272WB-16 (over-molded plastic) |
| Input Matching | — | On-chip (50 ohm nominal) |
| Output Matching | — | On-chip (50 ohm nominal) |
| Characteristic Impedance | — | 50 ohm |
| Maximum Operating Temperature | — | 150 C |
| Test Signal | — | Single-Carrier W-CDMA, IQ Magnitude Clipping, PAR = 7.5 dB |
| ACPR Measurement | — | 3.84 MHz channel bandwidth at +/-5 MHz offset |