RTAX2000S-1CG624PROTO vs RTAX2000SL-1CGS624V So sánh
So sánh chi tiết song song của RTAX2000S-1CG624PROTO bằng Microchip Technology và RTAX2000SL-1CGS624V bằng Microsemi. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Microchip Technology
RTAX2000S-1CG624PROTO - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip
RTAX2000S-1CG624PROTO ✓ Hoạt độngMicrosemi
RTAX2000SL-1CGS624V - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Actel/Microchip
RTAX2000SL-1CGS624V ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | RTAX2000S-1CG624PROTO | RTAX2000SL-1CGS624V |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Microchip Technology | Microsemi |
| Danh mục | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Equivalent System Gates | 2000000 | 2000000 |
| Logic Cells | 32256 | — |
| Configurable Logic Blocks (CLBs) | 21504 | — |
| Embedded Memory | 540 kbits (family max, with optional EDAC) | Up to 540 kbits with optional EDAC |
| User I/Os (family max) | 684 | — |
| Total Ionizing Dose (functional) | 300 krad (Si) | — |
| Total Ionizing Dose (parametric) | 200 krad (Si) | — |
| SEU Rate | Less than 1E-10 errors per bit-day | Less than 1E-10 errors per bit-day |
| Maximum System Frequency | 350 MHz (family performance) | — |
| Technology | CMOS antifuse (one-time programmable) | Digital CMOS, antifuse nonvolatile |
| Speed Grade | -1 | -1 |
| Hộp | CCGA-624 (CG624 ceramic column grid array) | 624-ball ceramic CGA (CGS624) |
| Configuration | Live at power-up (nonvolatile antifuse) | One-time programmable (OTP), live at power-up, single chip |
| Qualification Flow | PROTO (engineering prototype) | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Family | RTAX-S/SL Radiation-Tolerant FPGA | — |
| Trạng thái RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Logic Cells (CLBs) | — | 21504 |
| User I/Os (max, package dependent) | — | Up to 684 |
| Total Ionizing Dose (TID) | — | 300 krad (functional), 200 krad (parametric) |
| Quality / Screening Suffix | — | S (space flow), V suffix qualification level |
| Core Supply Voltage | — | [DATA_NEEDED: core supply voltage] |
| I/O Supply Voltage | — | [DATA_NEEDED: I/O supply voltage] |
| Embedded SRAM Features | — | Built-in FIFO control logic |
| Clocking | — | Segmentable clocks, chip-wide highway routing |