TLP182GB-TPL.E(T vs TLP183(GB-TPL So sánh

So sánh chi tiết song song của TLP182GB-TPL.E(T bằng Toshiba và TLP183(GB-TPL bằng Toshiba. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số TLP182GB-TPL.E(T TLP183(GB-TPL
Thương hiệu Toshiba Toshiba
Danh mục Optocouplers Optocouplers
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Part Number TLP182GB-TPL.E(T —
Hộp 4-Lead SO6 (SMD) 6-SO (SO6, 4-pin functional)
Isolation Voltage 3750 Vrms 3750 Vrms
Input Type AC (dual antiparallel LEDs) DC (InGaAs Infrared LED)
Kiểu đầu ra Phototransistor (NPN) Phototransistor (BJT)
Number of Channels 1 1
N Nap-Emit (Vceo) 80 V 80 V max
Trực流 điện tử (Ic) 50 mA 50 mA max
Current Transfer Ratio (CTR) 50% min @ IF=5 mA, VCE=5 V —
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCEsat) 300 mV @ IC=2.4 mA, IF=8 mA —
Turn-On Time (ton) 2 us —
Turn-Off Time (toff) 3 us —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55 degC to +125 degC —
Input Forward Current (IF) 50 mA max —
Input Reverse Voltage (VR) 5 V —
Power Dissipation (PC) 200 mW —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Toshiba Semiconductor and Storage
Product Type — Phototransistor Output Optocoupler
Forward Current (IF) — 50 mA max
Reverse Voltage (VR) — 6 V max
Forward Voltage (VF) — 1.25 V typ at IF=10 mA
Emitter-Collector Voltage (VECO) — 7 V max
CTR (Current Transfer Ratio) — 50% min (IF=5 mA, VCE=5 V) - GB rank
Nhiệt độ hoạt động — -55 C to +125 C
Storage Temperature — -55 C to +150 C
CTR Rank — GB (50-600% range)
Rise Time (tr) — 5 us typ
Fall Time (tf) — 5 us typ
Tape and Reel Packaging — TPL (L direction, 3000 pcs/reel)
Packing Option Code — E (RoHS)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá