K4A8G085WB-BCRC vs K4A8G045WB-BCRC 比較

詳細並排比較 K4A8G085WB-BCRC 由 Samsung Electronics 與 K4A8G045WB-BCRC 由 Samsung Electronics. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCRC K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCRC ✓ 啟用中
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K4A8G045WB-BCRC K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC ✓ 啟用中

規格比較

參數 K4A8G085WB-BCRC K4A8G045WB-BCRC
品牌 Samsung Electronics Samsung Electronics
類別 Memory ICs Memory ICs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
記憶體類型 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
組織 1G x 8 2G x 4
資料速率 2400 Mbps —
供應電壓 1.2 V —
工作溫度 0°C to 85°C 0 C to 85 C
封裝 78-ball FBGA 78-ball FBGA (PBGA78)
Number of Terminals 78 —
Refresh Cycles 8192 8192
Access Time 0.175 ns —
Technology CMOS —
Burst Length 8 and 4 —
On-Die Termination Yes —
Auto-Refresh Yes —
Self-Refresh Yes —
RoHS Compliant —
Speed — 2400 Mbps
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2 V
Process Technology — Samsung B-die
介面 — CMOS, differential clock (CK/CK#)
Maximum Supply Current — 211.7 mA
Terminals — 78
安裝類型 — Surface Mount
Key DDR4 Features — Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset
DLL Mode — Timing specified for DLL-enabled operation
RoHS 狀態 — Compliant

資料表與資源

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