MT41K256M16HA-107AAT:E vs NT5CB256M16CP-DI 比較

詳細並排比較 MT41K256M16HA-107AAT:E 由 Micron Technology 與 NT5CB256M16CP-DI 由 Nanya Technology. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

Micron Technology
MT41K256M16HA-107AAT:E MT41K256M16HA-107AAT:E - 4Gbit DDR3L SDRAM | Micron

MT41K256M16HA-107AAT:E - 4Gbit DDR3L SDRAM | Micron

MT41K256M16HA-107AAT:E ✓ 啟用中
Nanya Technology
NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI ✓ 啟用中

規格比較

參數 MT41K256M16HA-107AAT:E NT5CB256M16CP-DI
品牌 Micron Technology Nanya Technology
類別 Memory ICs Memory ICs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
記憶體類型 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
記憶體容量 4Gbit (256M x 16) —
資料速率 933 MHz (DDR3L-1866) 1600 Mbps/pin (max)
Access Time 20 ns —
供應電壓 1.35V 1.35 V (DDR3L)
介面 Parallel —
封裝 96-FBGA (9x14mm) TFBGA-96
工作溫度 0°C to +95°C (Tc) —
安裝類型 Surface Mount —
RoHS 狀態 Compliant —
組織 256M x 16 256M x 16
CAS 延遲 13 (typical) —
Burst Length 8, 4 —
On-Die Termination Yes —
Refresh Auto-refresh, self-refresh —
Density — 4 Gb
Number of Banks — 8
CAS Latency (CL) — 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11
Write Latency (CWL) — 5, 6, 7, 8, 9
Additive Latency — 0-13
工作溫度範圍 — -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive)
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Differential Clock Input — Yes (CK, CK#)
On-Die Termination (ODT) — Yes

資料表與資源

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