YZ48G16V-F9HPI-M vs MT40A512M16TB-062E:R 比較
詳細並排比較 YZ48G16V-F9HPI-M 由 Loongtion 與 MT40A512M16TB-062E:R 由 Micron Technology. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況，以找出最符合您設計需求的元件。
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron
MT40A512M16TB-062E:R ✓ 啟用中規格比較
| 參數 | YZ48G16V-F9HPI-M | MT40A512M16TB-062E:R |
|---|---|---|
| 品牌 | Loongtion | Micron Technology |
| 類別 | DRAM | Memory ICs |
| 生命週期狀態 | 啟用中 | 啟用中 |
| 庫存狀態 | — | In Stock |
| 單價 (USD) | — | $60.00 |
| 記憶體類型 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| 組織 | 512M x 16 | — |
| 資料速率 | 3200 MT/s | 3200 MT/s |
| 封裝 | FBGA96 | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| 工作溫度範圍 | -40°C to +85°C | — |
| 供應電壓 | 1.2 V | — |
| 介面 | DDR4 | Parallel |
| 腳位數 | 96 | — |
| 安裝類型 | Surface Mount | — |
| RoHS 狀態 | Compliant | Compliant |
| Industrial Grade | Yes | — |
| Compatible with | Samsung K4A8G165WC-BCWE, Micron MT40A512M16JY-07EAIT:B | — |
| 資料匯流排寬度 | 16 bits | 16 bits |
| Refresh | Auto-refresh | — |
| 記憶體容量 | — | 8 Gbit (512M x 16) |
| Clock Frequency | — | 1600 MHz |
| CAS 延遲 | — | 22 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| 工作溫度 | — | 0°C to +95°C |
| Refresh Time | — | 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C) |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |
| 功能特色 | — | Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration |