K4B4G1646D-BFMA vs MT41K256M16HA-125 对比

详细并排对比 K4B4G1646D-BFMA 出自 Samsung Electronics 和 MT41K256M16HA-125 出自 Micron Technology。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BFMA K4B4G1646D-BFMA - 4Gb DDR3 SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BFMA - 4Gb DDR3 SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BFMA ✓ 量产中
Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ 量产中

规格对比

参数 K4B4G1646D-BFMA MT41K256M16HA-125
品牌 Samsung Electronics Micron Technology
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $6.50 $6.36
存储器类型 DDR3 SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4Gb —
存储组织 256M x 16 —
数据速率 1866 Mbps —
电源电压 1.5V 1.35 V
封装 96-ball FBGA 96-FBGA (9x14 mm)
Ball Pitch 0.8mm —
Number of Banks 8 —
Burst Length 8 and 4 (with burst chop) —
CAS 延迟 Programmable 11
On-Die Termination Yes —
Temperature Range 0°C to 95°C (case) —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
无卤 Yes —
存储容量 — 4Gbit (256M x 16)
数据总线宽度 — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 13.75 ns
引脚数 — 96
安装类型 — Surface Mount
工作温度 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
RoHS 状态 — Compliant
Logic Family — CMOS
Refresh Interval — 7.8 us at 85C

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