MT41K256M16TW-107:P vs NT5CC256M16ER-EK 对比
详细并排对比 MT41K256M16TW-107:P 出自 Micron Technology 和 NT5CC256M16ER-EK 出自 Nanya Technology。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况，以确定最适合您设计需求的元器件。
规格对比
| 参数 | MT41K256M16TW-107:P | NT5CC256M16ER-EK |
|---|---|---|
| 品牌 | Micron Technology | Nanya Technology |
| 分类 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命周期状态 | 有效 | 有效 |
| 库存状态 | 有库存 | 有库存 |
| 单价（USD） | $16.00 | $24.00 |
| 存储器类型 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| 存储容量 | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| 数据速率 | 1866 MT/s | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| 电源电压 | 1.35V | 1.35 V |
| I/O Voltage | 1.35V | — |
| CAS 延迟 | 13 | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| tRCD | 20 ns | — |
| tRP | 20 ns | — |
| Burst Length | 8 | 8, 4 (with burst chop) |
| 封装 | 96-FBGA (8x14mm) | TFBGA-96 |
| 工作温度 | 0°C to +95°C | 0°C to +95°C |
| 安装类型 | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS 状态 | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Density | — | 4 Gbit |
| 存储组织 | — | 256M x 16 |
| 接口 | — | Parallel |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |