MT41K256M16TW-107:P vs NT5CC256M16ER-EK Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von MT41K256M16TW-107:P von Micron Technology und NT5CC256M16ER-EK von Nanya Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | MT41K256M16TW-107:P | NT5CC256M16ER-EK |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Nanya Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $16,00 | $24,00 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speichergröße | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Datenrate | 1866 MT/s | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| Versorgungsspannung | 1.35V | 1.35 V |
| I/O Voltage | 1.35V | — |
| CAS-Latenz | 13 | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| tRCD | 20 ns | — |
| tRP | 20 ns | — |
| Burst Length | 8 | 8, 4 (with burst chop) |
| Gehäuse | 96-FBGA (8x14mm) | TFBGA-96 |
| Betriebstemperatur | 0°C to +95°C | 0°C to +95°C |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Density | — | 4 Gbit |
| Speicherorganisation | — | 256M x 16 |
| Schnittstelle | — | Parallel |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |