MT41K256M16TW-107:P vs NT5CC256M16ER-EK Comparação
Comparação detalhada lado a lado de MT41K256M16TW-107:P por Micron Technology e NT5CC256M16ER-EK por Nanya Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | MT41K256M16TW-107:P | NT5CC256M16ER-EK |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Nanya Technology |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $16,00 | $24,00 |
| Tipo de memória | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Tamanho da memória | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Taxa de dados | 1866 MT/s | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| Tensão de alimentação | 1.35V | 1.35 V |
| I/O Voltage | 1.35V | — |
| Latência CAS | 13 | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| tRCD | 20 ns | — |
| tRP | 20 ns | — |
| Burst Length | 8 | 8, 4 (with burst chop) |
| Encapsulamento | 96-FBGA (8x14mm) | TFBGA-96 |
| Temperatura de operação | 0°C to +95°C | 0°C to +95°C |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Density | — | 4 Gbit |
| Organização da memória | — | 256M x 16 |
| Interface | — | Parallel |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |