MT41K256M16TW-107:P vs NT5CC256M16ER-EK Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT41K256M16TW-107:P par Micron Technology et NT5CC256M16ER-EK par Nanya Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | MT41K256M16TW-107:P | NT5CC256M16ER-EK |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Nanya Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $16,00 | $24,00 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Taille de mémoire | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Débit de données | 1866 MT/s | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| Tension d'alimentation | 1.35V | 1.35 V |
| I/O Voltage | 1.35V | — |
| Latence CAS | 13 | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| tRCD | 20 ns | — |
| tRP | 20 ns | — |
| Burst Length | 8 | 8, 4 (with burst chop) |
| Boîtier | 96-FBGA (8x14mm) | TFBGA-96 |
| Température de fonctionnement | 0°C to +95°C | 0°C to +95°C |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Density | — | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | — | 256M x 16 |
| Interface | — | Parallel |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |