NT5CB256M16CP-DI vs MT41K256M16HA-107AAT:E 对比

详细并排对比 NT5CB256M16CP-DI 出自 Nanya Technology 和 MT41K256M16HA-107AAT:E 出自 Micron Technology。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Nanya Technology
NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI ✓ 量产中
Micron Technology
MT41K256M16HA-107AAT:E MT41K256M16HA-107AAT:E - 4Gbit DDR3L SDRAM | Micron

MT41K256M16HA-107AAT:E - 4Gbit DDR3L SDRAM | Micron

MT41K256M16HA-107AAT:E ✓ 量产中

规格对比

参数 NT5CB256M16CP-DI MT41K256M16HA-107AAT:E
品牌 Nanya Technology Micron Technology
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $6.50 $5.95
存储器类型 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
存储组织 256M x 16 256M x 16
Density 4 Gb —
电源电压 1.35 V (DDR3L) 1.35V
数据速率 1600 Mbps/pin (max) 933 MHz (DDR3L-1866)
封装 TFBGA-96 96-FBGA (9x14mm)
Number of Banks 8 —
CAS Latency (CL) 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 —
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Additive Latency 0-13 —
工作温度范围 -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Differential Clock Input Yes (CK, CK#) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
存储容量 — 4Gbit (256M x 16)
Access Time — 20 ns
接口 — Parallel
工作温度 — 0°C to +95°C (Tc)
安装类型 — Surface Mount
RoHS 状态 — Compliant
CAS 延迟 — 13 (typical)
Burst Length — 8, 4
On-Die Termination — Yes
Refresh — Auto-refresh, self-refresh

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