NT5CB256M16CP-DI vs MT41K256M16HA-107AAT:E Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von NT5CB256M16CP-DI von Nanya Technology und MT41K256M16HA-107AAT:E von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Nanya Technology
NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI ✓ Aktiv
Micron Technology
MT41K256M16HA-107AAT:E MT41K256M16HA-107AAT:E - 4Gbit DDR3L SDRAM | Micron

MT41K256M16HA-107AAT:E - 4Gbit DDR3L SDRAM | Micron

MT41K256M16HA-107AAT:E ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter NT5CB256M16CP-DI MT41K256M16HA-107AAT:E
Marke Nanya Technology Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $6,50 $5,95
Speichertyp DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Speicherorganisation 256M x 16 256M x 16
Density 4 Gb —
Versorgungsspannung 1.35 V (DDR3L) 1.35V
Datenrate 1600 Mbps/pin (max) 933 MHz (DDR3L-1866)
Gehäuse TFBGA-96 96-FBGA (9x14mm)
Number of Banks 8 —
CAS Latency (CL) 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 —
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Additive Latency 0-13 —
Betriebstemperaturbereich -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Differential Clock Input Yes (CK, CK#) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Speichergröße — 4Gbit (256M x 16)
Access Time — 20 ns
Schnittstelle — Parallel
Betriebstemperatur — 0°C to +95°C (Tc)
Montageart — Surface Mount
RoHS-Status — Compliant
CAS-Latenz — 13 (typical)
Burst Length — 8, 4
On-Die Termination — Yes
Refresh — Auto-refresh, self-refresh

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