NT5CB256M16CP-DI vs MT41K256M16HA-107AAT:E 比較

詳細な並列比較: NT5CB256M16CP-DI メーカー: Nanya Technology および MT41K256M16HA-107AAT:E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Nanya Technology
NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI ✓ 生産中
Micron Technology
MT41K256M16HA-107AAT:E MT41K256M16HA-107AAT:E - 4Gbit DDR3L SDRAM | Micron

MT41K256M16HA-107AAT:E - 4Gbit DDR3L SDRAM | Micron

MT41K256M16HA-107AAT:E ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ NT5CB256M16CP-DI MT41K256M16HA-107AAT:E
ブランド Nanya Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $6.50 $5.95
メモリタイプ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
メモリ構成 256M x 16 256M x 16
Density 4 Gb —
電源電圧 1.35 V (DDR3L) 1.35V
データレート 1600 Mbps/pin (max) 933 MHz (DDR3L-1866)
パッケージ TFBGA-96 96-FBGA (9x14mm)
Number of Banks 8 —
CAS Latency (CL) 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 —
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Additive Latency 0-13 —
動作温度範囲 -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Differential Clock Input Yes (CK, CK#) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
メモリサイズ — 4Gbit (256M x 16)
Access Time — 20 ns
インターフェース — Parallel
動作温度 — 0°C to +95°C (Tc)
実装タイプ — Surface Mount
RoHS ステータス — Compliant
CASレイテンシ — 13 (typical)
Burst Length — 8, 4
On-Die Termination — Yes
Refresh — Auto-refresh, self-refresh

データシート&リソース

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